ZBLAN氟化物光纖的特點(diǎn)之一是各種稀土摻雜物，比如Tm、Pr和Er的高效率光發(fā)射。光纖用摻稀土的單模ZBLAN光纖抽芯光放大器、ASE光源和光纖激光器作為增益介質(zhì)。摻鐠單模光纖
ZSF-6/125-P-0.26(稀土摻雜) SMFF單模氟化物光纖

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更新時(shí)間：2024-12-05

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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產(chǎn)品分類

光纖/光纖器件/光纖處理

光纖研磨拋光/切割剝離器光纖加工/傳感/邊拋/微納光纖熔融拉錐機(jī)系統(tǒng) 跳線/連接器/光纖束/光纜其它光纖器件 MFA光纖模場(chǎng)(模式)匹配器光纖光柵(FBG)器件偏振(PZ)光纖光子晶體光纖（PCF）高非線性光纖(HNLF) 金屬化光纖無(wú)源光纖摻雜光纖（有源光纖）特種光纖中紅外光纖

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品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
組件類別	光學(xué)元件	應(yīng)用領(lǐng)域	綜合
參數(shù)	見(jiàn)參數(shù)表

ZBLAN氟化物光纖的特點(diǎn)之一是各種稀土摻雜物，比如Tm、Pr和Er的高效率光發(fā)射。光纖用摻稀土的單模ZBLAN光纖抽芯光放大器、ASE光源和光纖激光器作為增益介質(zhì)。摻鐠單模光纖 (稀土摻雜 SMFF單模氟化物光纖)摻鐠單模光纖 (稀土摻雜 SMFF單模氟化物光纖)

ZSF-6/125-P-0.26(稀土摻雜) SMFF單模氟化物光纖

截止波長(zhǎng)

2.5um

纖芯直徑

6um

數(shù)值孔徑

0.26

技術(shù)參數(shù)

類型	摻稀土單模光纖
光纖類型	階躍指數(shù)型單模光纖
摻雜稀土元素	Pr，Nd，Ho，Er，Dy，Tm，Yb，others
摻雜濃度（ppm mol）	500-50000
數(shù)值孔徑	0.16,0.21,0.26
截止波長(zhǎng)（um）	<2.5
芯徑（um）	2-12um
涂覆層直徑（um）	450/460±30
包層直徑（um）	123±3
芯/涂覆層玻璃	ZBLAN氟化物玻璃
涂層材料	UV固化丙烯酸酯
實(shí)驗(yàn)測(cè)試	1.25cm直徑

單模光纖相關(guān)型號(hào)

型號(hào)	摻雜劑	濃度 ppm mol	數(shù)值孔徑	芯徑 um	包層直徑 um	涂覆層直徑 um	截止波長(zhǎng) nm	損耗光譜
ZSF-3/125-N-0.25	non	–	0.25	3±1	123±3	450±30	<2350	-
ZSF-9/125-N-0.18	non	–	0.19	9±1	123±3	450±30	<2350	-
ZSF-2.3/120-3.2T	Tm	3,200	0.26	2.3±0.5	120±4	370±30	<950	-
ZSF-2.5/125-4.4T	Tm	4,400	0.27	2.5±0.3	123±3	450±30	<1000	–
ZSF-2.7/125-3.2T	Tm	3,200	0.26	2.7±0.3	123±3	450±30	<1050	-
ZSF-8.5/125-13T	Tm	13,000	0.16	8.5±1.5	125±3	450±30	<2200	-
ZSF-2.4/125-1.5P	Pr	1,500	0.25	2.4±0.4	123±3	450±30	<950	-
ZSF-4.7/125-2E	Er	2,000	0.2	4.7±0.5	123±3	450±30	<1350	–
ZSF-5.5/125-5E	Er	5,000	0.12	5.5±0.5	123±3	450±30	<950	-
ZSF-9.0/125-1H	Ho	1,000	0.16	9.0±1.0	123±3	450±30	<2100	-
ZSF-10/125-1H	Ho	1,000	0.16	10±5	123±3	450±30	<3150	-
ZSF-2.1/125-1Y	Yb	1,000	0.28	2.1±0.3	123±3	450±30	<900	-
ZSF-13/125-1D-0.16	Dy	1,000	0.16	13±3	123±3	450±30	<3300	-
ZSF-14/125-3D-0.16	Dy	3,000	0.16	14±6	123±3	475±4	<4200	-
ZSF-13/125-40C	Ce	40,000	0.12	13±2	123±3	450±30	<2350	-

中紅外摻鉺單模光纖 (稀土摻雜鉺摻雜 SMFF單模氟化物光纖)

背景損耗和發(fā)射波長(zhǎng)

通過(guò)選擇稀土元素和激發(fā)波長(zhǎng)，得到不同波長(zhǎng)的光發(fā)射。雖然芯在長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域具有較低的損耗，但在第一包層中的傳播光在3.5um處造成更大的損耗，而由于吸收用于第二包層的氟基UV樹(shù)脂而導(dǎo)致更多波長(zhǎng)損耗。